GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
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时间:2024-05-13 20:05:07
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基本信息
| 标准名称： | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 |
| 英文名称： | Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： | |
| 替代情况： | 被GB/T 14847-2010代替 |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1993-01-02 |
| 实施日期： | 1994-09-01 |
| 首发日期： | 1993-12-30 |
| 作废日期： | 2011-10-01 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 机电部四十六所 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 平装16开， 页数：8， 字数：12千字 |
适用范围
本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。
前言
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所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法
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